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PD - 9.1610B
IRFR/U5505
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
P-Channel
Surface Mount (IRFR5505)
D
V DSS = -55V
l
l
l
l
Straight Lead (IRFU5505)
Advanced Process Technology
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
G
S
R DS(on) = 0.11 ?
I D = -18A
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET Power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
D -P a k
I-P a k
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight
lead version (IRFU series) is for through-hole mounting
applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are
possible in typical surface mount applications.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
T O -2 52 A A
Max.
TO -2 5 1 A A
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
-18
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
Peak Diode Recovery dv/dt ?
-11
-64
57
0.45
± 20
150
-9.6
5.7
-5.0
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
2.2
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Ambient (PCB mount)**
Junction-to-Ambient
–––
–––
50
110
°C/W
8/25/97
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